各種電流都對組件的功率有或大或小的影響，區(qū)分各種電流的特性，能夠排查引起組件功率異常的原因，有助于問題的徹底解決。

暗電流

暗電流（DarkCurrent）也稱無照電流，是指P-N結(jié)在反偏壓條件下，沒有入射光時產(chǎn)生的反向直流電流。一般由于載流子的擴(kuò)散產(chǎn)生或者器件表面和內(nèi)部的缺陷以及有害的雜質(zhì)引起。

暗電流一般在分選硅片時要考慮，如果暗電流過大能說明硅片的質(zhì)量不合格，如表面態(tài)比較多，晶格的缺陷多，有存在有害的雜質(zhì)，或者摻雜濃度太高，這樣的硅片制造出來的電池片往往少子壽命低，直接導(dǎo)致了轉(zhuǎn)換效率低。

反向飽和電流

反向飽和電流指給PN結(jié)加一反偏電壓時，外加的電壓使得PN結(jié)的耗盡層變寬，結(jié)電場（即內(nèi)建電場）變大，電子的電勢能增加，P區(qū)和N區(qū)的多數(shù)載流子（P區(qū)多子維空穴，N區(qū)多子為電子）就很難越過勢壘，因此擴(kuò)散電流趨近于零，但是由于結(jié)電場的增加，使得N區(qū)和P區(qū)中的少數(shù)載流子更容易產(chǎn)生漂移運(yùn)動，因此在這種情況下，PN結(jié)內(nèi)的電流由起支配作用的漂移電流決定。

漏電流

太陽能電池片可以分3層，即薄層（即N區(qū)），耗盡層（即PN結(jié)），體區(qū)（即P區(qū)），對電池片而言，始終是有一些有害的雜質(zhì)和缺陷的，有些是硅片本身就有的，也有的是我們的工藝中形成的，這些有害的雜質(zhì)和缺陷可以起到復(fù)合中心的作用，可以虜獲空穴和電子，使它們復(fù)合，復(fù)合的過程始終伴隨著載流子的定向移動，必然會有微小的電流產(chǎn)生，這些電流對測試所得的暗電流的值是有貢獻(xiàn)的，由薄層貢獻(xiàn)的部分稱之為薄層漏電流，由體區(qū)貢獻(xiàn)的部分稱之為體漏電流。